Транзисторы типа: П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г
Соответствуют частным техническим условиям
3.365.017ТУ ред. 3-69 и ОТУ НаАО.336.001ТУ
ред. 3-68
3.365.017ТУ ред. 3-69 и ОТУ НаАО.336.001ТУ
ред. 3-68
Транзисторы типа: П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.
Фланец – вывод коллектора.
Вес – 17г. В одном транзисторе содержится 1,8615 мг. серебра.
Основные электрические параметры.
Предельно-допустимые режимы эксплуатации.
Условия хранения транзисторов.
Складские условия: температура окружающей среды от +5 до +35 градусов, влажность до 85%, отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.
Полевые условия: температура окружающей среды от +50 до +50 градусов по Цельсию, относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.
Гарантии.
Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ОТУ и ЧТУ в течение 10.000 ч.
Сохраняемость транзисторов в упаковке поставщика, в ЗИПе, а также вмонтированных в аппаратуру, при хранении их в складских условиях должна быть не менее 12 лет.
На протяжении этого срока допускается хранение приборов в полевых условиях в течение:
а) Трех лет в составе аппаратуре и ЗИП при защите последних от непосредственного воздействия солнечной радиации и атмосферных осадков.
б) Шести лет в составе герметизированной аппаратуры и ЗИП в герметизированной укладке.
Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки приборов.
Указания и рекомендации по эксплуатации.
1. При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью.
Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхающим маслом.
Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм.
2. При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется прокладка шайб из оксидированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слюдяной прокладки или на 0,25 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слоя окиси алюминия.
3. Пайка к выводам транзистора допускается только на плоской части вывода. При пайке цилиндрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводящими губками.
Изгиб выводов допускается только на плоской части вывода.
4. Запрещается использовать транзисторы в схемах, в которых цепь базы разомкнута по постоянному току. При включении транзистора в схему базовый вывод должен присоединяться первым.
5. При монтаже транзисторов необходимо обеспечивать, чтобы фланец не ложился на сварочный шов.
Вернуться назад