|
Транзисторы типа: П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217ГСоответствуют частным техническим условиям 3.365.017ТУ ред. 3-69 и ОТУ НаАО.336.001ТУ ред. 3-68 Транзисторы типа: П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г. Фланец – вывод коллектора. Вес – 17г. В одном транзисторе содержится 1,8615 мг. серебра. Условия хранения транзисторов. Складские условия: температура окружающей среды от +5 до +35 градусов, влажность до 85%, отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей. Полевые условия: температура окружающей среды от +50 до +50 градусов по Цельсию, относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов. Гарантии. Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов в режимах и условиях, допускаемых ОТУ и ЧТУ в течение 10.000 ч. Сохраняемость транзисторов в упаковке поставщика, в ЗИПе, а также вмонтированных в аппаратуру, при хранении их в складских условиях должна быть не менее 12 лет. На протяжении этого срока допускается хранение приборов в полевых условиях в течение: а) Трех лет в составе аппаратуре и ЗИП при защите последних от непосредственного воздействия солнечной радиации и атмосферных осадков. б) Шести лет в составе герметизированной аппаратуры и ЗИП в герметизированной укладке. Гарантийный срок исчисляется с момента отгрузки приборов. Указания и рекомендации по эксплуатации. 1. При эксплуатации транзистор с помощью накидного фланца должен быть жестко закреплен на металлическом шасси или на специальном теплоотводе со шлифованной поверхностью. Перед креплением транзистора контактирующие поверхности рекомендуется смазывать невысыхающим маслом. Диаметр отверстия в теплоотводе под выводы транзистора должен быть не более 5 мм. 2. При необходимости электрической изоляции корпуса (коллектора) транзистора или теплоотвода между транзистором и теплоотводом рекомендуется прокладка шайб из оксидированного алюминия или слюды. Суммарное тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом увеличивается на 0,5 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слюдяной прокладки или на 0,25 градусов / ВТ на каждые 50 микрон слоя окиси алюминия. 3. Пайка к выводам транзистора допускается только на плоской части вывода. При пайке цилиндрическая часть вывода должна быть зажата теплоотводящими губками. Изгиб выводов допускается только на плоской части вывода. 4. Запрещается использовать транзисторы в схемах, в которых цепь базы разомкнута по постоянному току. При включении транзистора в схему базовый вывод должен присоединяться первым. 5. При монтаже транзисторов необходимо обеспечивать, чтобы фланец не ложился на сварочный шов. Вернуться назад
Нашли ошибку? Выделив текст, жмем ctr+Enter.
Распечатать |