Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые однопереходные с базой n-типа переключательные. Предназначены для работы в составе гибридных пленочных микросхем, модулей, узлов и блоков радиоэлектронной герметизированной аппаратуры.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.

Транзистор кремниевый планарный n-p-n низкочастотный усилительный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p СВЧ универсальные маломощные. Предназначены для работы в переключающих, импульсных и усилительных схемах высокой частоты.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p переключательные высокочастотные мощные.

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ универсальный. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные.