Диод германиевый точечный. Предназначен для применения в заливных и капсулированных микромодулях.

Диод германиевый точечный. Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими выводами.

Транзисторы германиевые p-n-p низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные низкочастотные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные p-n-p-n триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности.

Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные. Положительный вывод маркируется красной точкой.

Диоды германиевые микросплавные. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диод арсенид-галлиевый диффузионный. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Тиристоры кремниевые планарные p-типа триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей малой мощности.

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p универсальный высокочастотный маломощный. Предназначен для переключения и усиления сигналов высокой частоты.