|
Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц. Светоизлучающие диоды фосфид-галлиевые эпитаксиальные бескорпусные. Предназначены для использования в индикаторах, оптопарах, гибридных микросхемах. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n маломощные универсальные. Стабилитрон кремниевый планарный. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. |