Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный. Предназначен для применения в качестве высокочастотных детекторов. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки. Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.

Диоды кремниевые сплавные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.

Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торце корпуса.

Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торце корпуса.

Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Диод кремниевый эпитаксиально-планарный. Выпускается в пластмассовом корпусе.