Транзисторы > Транзисторы типа: ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Транзисторы типа: ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д


Транзисторы типа: ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p маломощные.

Предназначены для работы в качестве усилительного элемента в радиолюбительских конструкциях.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,6 грамм.

Чертеж транзистора: ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115ДЧертеж транзистора: ГТ115А, ГТ115Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с
общей базой при UКБ=5 В, IЭ=5 мА не более
1 МГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при
UКБ=1 В, IЭ=25 мА, ƒ=270 Гц
ГТ115А, ГТ115Б 20—80
ГТ115В, ГТ115Г 60—150
ГТ115Д 125—250
Обратный ток коллектора не более:
при UКБ=20 В ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д 40 мкА
при UКБ=30 В ГТ115Б, ГТ115Г 40 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=20 В не более 40 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллетор-база
ГТ115А, ГТ115В, ГТ115Д 20 В
ГТ115Б, ГТ115Г 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 50 мВт
Постоянный ток коллектора 30 мА
Температура перехода 69,85°С
Температура окружающей среды от -20 до 44,85°С

Вернуться назад