Транзисторы > Транзисторы типа: 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В

Транзисторы типа: 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В


Транзисторы типа: 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В

Транзисторы 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 1 гр.

Чертёж транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312ВЧертёж транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, не менее
2Т312А 80 МГц
2Т312Б, 2Т312В 120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, ƒ=2 МГц, не более 500 нс
Время рассасывания при IК=10 мА, IБ=2 мА, не более
2Т312А 100 нс
2Т312Б, 2Т312В 130 нс
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=20 мА
2Т312А 12-100
2Т312Б 25-100
2Т312В 50-250
Граничное напряжение при IЭ=7,5 мА, не менее 30 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более
2Т312А, 2Т312Б 0,5 В
2Т312В 0,35 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более 1,1 В
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=2 МГц, не более 5 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, ƒ=2 МГц, не более 20 пФ
Обратный ток коллектора, не более
при Т=24,85°С, UКБ=30 В 1 мкА
при Т=124,85°С, UКБ=30 В 10 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более 10 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В 30 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤100 Ом 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 В
Постоянный ток коллектора 30 мА
Импульсный ток коллектора при τи≤1 мкс, Q≥10 60 мА
Постоянная рассеиваемая мощность 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В
при Т≤59,85°С 225 мВт
при Т=124,85°С 62,5 мВт
Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс, Q≥10
при Т≤59,85°С 450 мВт
при Т=124,85°С 287,5 мВт
Температура перехода транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В 149,85°С
Общее тепловое сопротивление 0,4 К/мВт
Температура окружающей среды От -60,15 до 124,85°С

Примечание. Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путём погружения не более чем на 5 с в расплавленный припой с температурой не более 249,85°С.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.


Вернуться назад