Транзисторы > Транзистор типа: КТ601АМ

Транзистор типа: КТ601АМ


Транзистор типа: КТ601АМ

Транзистор КТ601АМ кремниевый диффузионный n-p-n усилительный высокочастотный маломощный. Предназначен для применения в схемах радиовещательных и телевизионных приёмников. Выпускается в пластмассовом корпусах с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,7 гр.

Чертёж транзистора КТ601АМЧертёж транзистора КТ601АМ

Электрические параметры.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКЭ=20 В, IЭ=10 мА, не менее 16
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=20 В, IЭ=1 мА, не менее 40 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=20 В, ƒ=2 МГц, не более 15 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при UКЭ=50 В, IЭ=6 мА, ƒ=2 МГц, не более 600 пс
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=100 В, RБЭ=10 кОм, не более 500 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=2 В, не более 100 мкА

Предельные эксплуатационные данные КТ601АМ.

Постоянное напряжение коллектор-база 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 кОм 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 2 В
Постоянный ток коллектора 30 мА
Постоянный ток базы транзистора КТ601АМ 30 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
без теплоотвода при Т≤54,85°С и Тк≤74,85°С 250 мВт
с теплоотводом при Тк≤54,85°С 500 мВт
Температура перехода транзистора КТ601АМ 149,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 84,85°С

Примечание. Для транзисторов КТ601АМ изгиб выводов допускается под углом не более 90° в плоскости, перпендикулярной плоскости основания корпуса, и на расстоянии не менее 3 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм.

Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора. Пайку следует производить в течение не более 5 с. Температура пайки не должна превышать 259,85°С, при этом необходимо обеспечить надёжный теплоотвод между корпусом транзистора и местом пайки.

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры.1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры.

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры.

1. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Входные характеристики.1. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Входные характеристики.

1. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Входные характеристики.


Вернуться назад