Транзисторы > Транзисторы типа: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Транзисторы типа: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В


Транзисторы типа: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В - в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819ВЧертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IК=0,1 А, τи≤300 мкс, Q≥100
КТ819А, не более 25 В
КТ819Б, 2Т819В 40-60-80 В
КТ819В, 2Т819Б 60-80-100 В
КТ819Г, 2Т819А 80-100-110 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при IК=5 А, IБ=0,5 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 2 В
при IК=20 А, IБ=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 5 В
при IК=15 А, IБ=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1,5 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IК=5 А, не менее
при Т=24,85°С и Т=ТК макс
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20
КТ819А, КТ819В 15
КТ819Б 20
КТ819Г 12
при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 9
при Т=-40,15°С
КТ819А, КТ819В 10
КТ819Б 15
КТ819Г 7
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=0,5 А 3-5-12 МГц
Время выключения при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более 2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В 360-600-1000 пФ
Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, IК=1 мА и при Т=124,85°С, IК=5 мА, не менее
2Т819А 100 В
2Т819Б 80 В
2Т819В 60 В
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
при Т=233-298 К 1 мА
при Т=99,85°С 10 мА
Пробивное напряжение эмиттер-база при IЭ=5 мА, не менее 5 В

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
2Т819А 25 В
2Т819Б 40 В
2Т819В 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Т=Тмин-323 К
КТ819А 40 В
КТ819Б 50 В
КТ819В 70 В
КТ819Г, 2Т819А 100 В
2Т819Б 80 В
2Т819В 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 10 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 15 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 15 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20 А
Постоянный ток базы 3 А
Импульсный ток базы при τи≤10 мс, Q≥100 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 60 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 100 Вт
без теплоотвода при Тк≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 1,5 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 3 Вт
Температура перехода
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 124,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 149,85°С
Температура окружающей среды
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г От -40,15 до Тк=99,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В От -60,15 до Тк=124,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.


Вернуться назад