Транзисторы > Транзистор типа: КТ802А

Транзистор типа: КТ802А


Транзистор типа: КТ802А

Транзистор кремниевый меза-планарный n-p-n мощный универсальный: КТ802А. Предназначен для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развёртки, усилителях мощности, вторичных источниках питания. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора не более 22 гр, с накидным фланцем не более 34 гр.

Чертёж транзистора КТ802АЧертёж транзистора КТ802А

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IК=0,5 А, не менее 10 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=10 В, IК=2 А, не менее 15
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более 5 В
Обратный ток коллектора КТ802А при UКБ=150 В, не более
при Тк=248-298 К 60 мА
при Тк=99,85°С 200 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 150 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 3 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при τи≤10 мкс, Q>2 130 В
Постоянный ток коллектора 5 А
Постоянный ток базы 1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Тк=248-298 К 50 Вт
при Тк=99,85°С 20 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 2,5 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура корпуса КТ802А От -25,15 до 99,85°С

Примечание. При температуре корпуса КТ802А от 24,85 до 99,85°С рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле:

PК макс=(423-Тк)/RТ п к.

1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения.1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения.

1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения.


Вернуться назад