Транзистор типа: 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В
Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высоковольтные низкочастотные мощные: 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В. Предназначены для работы в импульсных модуляторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе.
Масса транзистора не более 20 гр.
Электрические параметры.
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2,5 А, IБ=1,5 А, не более | 5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2,5 А, IБ=1,5 А, не более | 3 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером | |
| при Т=24,85°С, UКЭ=15 В, IК=1 А | |
| 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б | 10-100 |
| КТ704В, не менее | 10 |
| при Т=99,85°С, UКЭ=10 В, IК=0,5 А | |
| 2Т704А, 2Т704Б | 6-300 |
| при Т=60,15°С, UКЭ=15 В, IК=1 А | |
| 2Т704А, 2Т704Б | 6-100 |
| Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=1 МГц, UКБ=15 В, IК=0,1 А, не менее | 3 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом, не более | |
| при Т=24,85°С | |
| 2Т704А, КТ704А при UКЭ=1000 В | 5 мА |
| 2Т704Б, КТ704Б при UКЭ=700 В | 5 мА |
| КТ704В при UКЭ=500 В | 5 мА |
| при Т=99,85°С и Т=-60,15°С | |
| 2Т704А при UКЭ=700 В | 10 мА |
| 2Т704Б при UКЭ=500 В | 10 мА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более | 100 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом или UБЭ=1,5 В | |
| при Тк=213-373 К | |
| 2Т704А | 500 В |
| 2Т704Б | 350 В |
| при Тк=263-333 К КТ704Б, КТ704В | 400 В |
| при Тк=228-358 К КТ704А | 500 В |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 Ом или UБЭ=1,5 В, τи=1-10 мс, τφ≥10 мкс, Q≥50 и τи≤1 мс, τφ≥10 мкс, Q≥10 |
|
| при Тк=233-353 К | |
| 2Т704А, КТ704А | 1000 В |
| 2Т704Б, КТ704Б | 700 В |
| КТ704В | 500 В |
| при Тк=213-373 К | |
| 2Т704А | 700 В |
| 2Т704Б | 500 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при при Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т=228-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В |
4 В |
| Постоянный ток коллектора при Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Т=228-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В |
2,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥2, Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Тк=223-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В |
4 А |
| Постоянный ток базы при Тк=213-373 К 2Т704А, 2Т704Б и при Тк=223-353 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В |
2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213-323 К ( при Тк=228-323 К КТ704А, КТ704Б, КТ704В) |
15 Вт |
| Температура перехода | 124,85°С |
| Температура окружающей среды | |
| 2Т704А, 2Т704Б | От -60,15 до Тк=99,85°С |
| КТ704А, КТ704Б, КТ704В | От -45,15 до Тк=84,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>49,85°С определяется по формуле:
РК макс=(Тп-Тк)/RТ п к,
где RТ п к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.
За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 13 мм со стороны опорной поверхности.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость тока эмиттера от напряжения база-эмиттер. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер, В, от отношения IК/IБ.
1. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения база-эмиттер. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5-6. Область максимальных режимов.
Вернуться назад