Транзисторы > Транзисторы типа: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В

Транзисторы типа: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В


Транзисторы типа: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 Мгц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Масса транзистора не более 1,6 гр.

Чертёж транзистора 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913ВЧертёж транзистора 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В

Электрические параметры 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В.

Выходная мощность на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В, не менее
2Т913А, КТ913А 3 Вт
2Т913Б, КТ913Б 5 Вт
2Т913В, КТ913В 10 Вт
Коэффициент усиления по мощности на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В
2Т913А при Pвых=3 Вт, типовое значение 2,5
2Т913Б при Pвых=5 Вт, типовое значение 2,5
2Т913В при Pвых=10 Вт, типовое значение 2,5
КТ913А при Pвых=3 Вт, не менее 2
КТ913Б при Pвых=5 Вт, не менее 2
КТ913В при Pвых=10 Вт, не менее 2
Коэффициент полезного действия коллектора на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В
2Т913А при Pвых=3 Вт, типовое значение 45%
2Т913Б при Pвых=5 Вт, типовое значение 45%
2Т913В при Pвых=10 Вт, типовое значение 55%
КТ913А при Pвых=3 Вт, не менее 40%
КТ913Б при Pвых=5 Вт, не менее 40%
КТ913В при Pвых=10 Вт, не менее 50%
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=10 В 2Т913А, КТ913А
при IК=200 мА; 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В при IК=400 мА, не менее
900 МГц
Критический ток при UКЭ=10 В, не менее
2Т913А 0,4 А
2Т913Б 0,8 А
2Т913В 1,6 А
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=28 В, не менее
2Т913А 6 пФ
2Т913Б 10 пФ
2Т913В, КТ913Б 12 пФ
КТ913А 7 пФ
КТ913В 14 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=30 МГц, UКБ=10 В, I=50 мА, не более
2Т913А, КТ913Б, КТ913В 15 пс
2Т913Б, 2Т913В 12 пс
КТ913А 18 пс
Активная ёмкость коллектора при UКБ=28 В, типовое значение
2Т913А, КТ913А 1,3 пФ
2Т913Б, КТ913Б 2,5 пФ
2Т913В, КТ913В 2,7 пФ
Суммарная активная и пассивная ёмкость коллектора при UКБ=28 В, типовое значение
2Т913А, КТ913А 4 пФ
2Т913Б, КТ913Б 8,0 пФ
2Т913В, КТ913В 8,2 пФ
Ёмкость коллектор-эмиттер, типовое значение
2Т913А, КТ913А 0,7 пФ
2Т913Б, КТ913Б 1,5 пФ
2Т913В, КТ913В 1,5 пФ
Сопротивление эмиттера, типовое значение
2Т913А, КТ913А 0,15 Ом
2Т913Б, КТ913Б 0,1 Ом
2Т913В, КТ913В 0,05 Ом
Сопротивление базы, типовое значение
2Т913А, КТ913А 3 Ом
2Т913Б, КТ913Б 1,5 Ом
2Т913В, КТ913В 1,1 Ом
Индуктивность вывода базы на расстоянии 3 мм от корпуса, типовое значение
2Т913А, КТ913А 3 нГн
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В 2,5 нГн
Индуктивность вывода коллектора на расстоянии 3 мм от корпуса
2Т913А, КТ913А, 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В, типовое значение
2 нГн
Индуктивность вывода эмиттера при заземлении обоих выводов у основания, типовое значение
2Т913А, КТ913А 0,55 нГн
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В 0,25 нГн
Граничное напряжение коллектор-эмиттер при IК=75 мА 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, не менее 30 В
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, типовое значение
2Т913А, КТ913А 45 пФ
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В 90 пФ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=250 мА, IБ=30 мА, типовое значение 0,28 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=250 мА, IБ=30 мА, типовое значение 1,0 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=55 В, RЭБ=10 Ом, не более
2Т913А 10 мА
2Т913Б, 2Т913В 20 мА
КТ913А 25 мА
КТ913Б, КТ913В 50 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3,5 В, не более
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В 1 мА
КТ913А, КТ913Б, КТ913В 1,5 мА
Полное входное сопротивление в динамическом режиме на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В, типовое значение
2Т913А при Pвых=3 Вт (3+j20) Ом
2Т913Б при Pвых=5 Вт (1,2+j16) Ом
2Т913В при Pвых=10 Вт (1,2+j14) Ом

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ=10 Ом
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В
при Тк≤124,85°С 55 В
при Тк=-60,15°С 45 В
КТ913А, КТ913Б, КТ913В
при Тк≤84,85°С 55 В
при Тк=-45,15°С 45 В
Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ=10 Ом 55 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 3,5 В
Постоянный ток коллектора
2Т913А, КТ913А 1 А
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В 2 А
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме
2Т913А
при Тк≤54,85°С 4,7 Вт
при Тк=124,85°С 1,2 Вт
2Т913Б
при Тк≤69,85°С 8 Вт
при Тк=124,85°С 2,5 Вт
2Т913В
при Тк≤24,85°С 12 Вт
при Тк=124,85°С 2 Вт
КТ913А
при Тк≤54,85°С 4,7 Вт
при Тк=84,85°С 3,2 Вт
КТ913Б
при Тк≤69,85°С 8 Вт
при Тк=84,85°С 6,5 Вт
КТ913В
при Тк≤24,85°С 12 Вт
при Тк=84,85°С 6 Вт
Теплове сопротивление переход-корпус
2Т913А, КТ913А 20 К/Вт
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В 10 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В От -60,15 до Тк=124,85°С
КТ913А, КТ913Б, КТ913В От -45,15 до Тк=84,85°С

Примечание. В процессе присоединения выводов температура корпуса в любой его точке не должна превышать 84,85°С. Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.

При эксплуатации оба вывода эмиттера должны быть симметрично соединены в схеме. На частотах менее 200 МГц должны применяться облегчённые режимы при пониженном напряжении питания.

Транзисторы 2Т913А и КТ913А могут быть использованы в линейных усилителях в режимах при UКЭ≤6 В, IК≤500 мА.

1-2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора. 3. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.1-2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора. 3. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

1-2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора. 3. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

1-2. Зависимость выходной мощности от входной. 3. Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.1-2. Зависимость выходной мощности от входной. 3. Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.

1-2. Зависимость выходной мощности от входной. 3. Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.


Вернуться назад