Транзисторы > Транзисторы типа: 2Т960А, КТ960А

Транзисторы типа: 2Т960А, КТ960А
Транзисторы типа: 2Т960А, КТ960А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: 2Т960А, КТ960А. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности класса С умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутренне согласующее LC - звено.

Масса транзистора не более 7 гр.

Чертёж 2Т960А, КТ960АЧертёж 2Т960А, КТ960А

Электрические параметры транзистора 2Т960А, КТ960А.

Выходная мощность при UКЭ=12 В, ƒ=400 МГц, Тк≤39,85°С 40 Вт
Коэффициент усиления по мощности при Pвых=40 Вт, ƒ=400 МГц, не менее 2,5
типовое значение 3,5
Коэффициент полезного действия коллектора, не менее 60%
типовое значение 65%
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=500 мА, IБ=100 мА, типовое значение 0,08 В
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=300 МГц, UКЭ=10 В, IК=3 А, не менее 2
типовое значение 4
Критический ток коллектора при ƒ=300 МГц, UКЭ=10 В, типовое значение 22 А
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=5 В, IЭ=500 мА, ƒ=5 МГц, типовое значение 12,5 пс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=12 В, ƒ=30 МГц, не более 120 пФ
типовое значение 82 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, ƒ=5 МГц, типовое значение 1200 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=36 В, RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С 20 мА
при Т=124,85°С 2Т960А 40 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более
при Т=24,85°С 10 мА
при Т=124,85°С 2Т960А 20 мА
Индуктивность внутреннего LC - звена, типовое значение 0,33 нГн
Ёмкость внутреннего LC - звена, типовое значение 610 пФ
Индуктивность выводов при L=1 мм
эмиттерного 0,38 нГн
коллекторного 1,6 нГн
базового 0,49 нГн

Предельные эксплуатационные данные 2Т960А, КТ960А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 Ом 36 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 В
Постоянный ток коллектора 7 А
Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме
при Тк≤39,85°С 70 Вт
при Тк=124,85°С 2Т960А 20 Вт
Допустимый КстU при Pвых≤40, UКЭ=12,6 В, Тк≤39,85°С
в течение 3 с 10
в непрерывном режиме 3
Тепловое сопротивление переход-корпус 1,75 К/Вт
Температура перехода 159,85°С
Температура окружающей среды
КТ960А От -40,15 до Тк=84,85°С
2Т960А От -60,15 до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Допускается работа транзисторов на переменном сигнале в режиме классов А, АВ при условии, что рабочая точка находится в области максимальных режимов. Допускается работа транзисторов при ƒ>400 МГц, Pвых макс≤16 Вт и не превышает предельно допустимых режимов.

2. Пайка выводов 2Т960А, КТ960А допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса по методике, не приводящей к нарушению конструкции и герметичности транзисторов. Пайку следует производить при температуре жала паяльника не выше 269,85°С в течение времени не более 5 секунд.

Разрешается обрезать выводы на расстоянии не менее 4 мм от корпуса без передачи усилия на керамическую часть корпуса без нарушения герметичности и с сохранением обозначения коллекторного вывода.

Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5, неплоскостность не более 0,04 мм.

Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод при нанесении теплоотводящей смазки типа КПТ-8 (ГОСТ 19783-74) на поверхность теплоотвода транзистора не более 0,3 К/Вт.

1. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры. 4. Зависимость максимального допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер. 5-6. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности.1. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры. 4. Зависимость максимального допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер. 5-6. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности.

1. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 2. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 3. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры. 4. Зависимость максимального допустимого тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер. 5-6. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности.

1. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности. 2. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-эмиттер. 3. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер.1. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности. 2. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-эмиттер. 3. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер.

1. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от выходной мощности. 2. Зависимость выходной мощности и коэффициента полезного действия от напряжения коллектор-эмиттер. 3. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 4. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Вернуться назад