Транзисторы > Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
Транзисторы типа: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные маломощные: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е. Предназначены для работы в усилителях НЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503ЕЧертёж транзистора КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е

Электрические параметры КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е.

Граничное напряжение при IЭ=10 мА, τи≤30 мкс, скважности >100, не менее
КТ503А, КТ503Б 25 В
КТ503В, КТ503Г 40 В
КТ503Д 60 В
КТ503Е 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более 0,6 В
типовое значение 0,2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более 1,2 В
типовое значение 0,8 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=10 мА
КТ503А, КТ503В, КТ503Д, КТ503Е 40-120
КТ503Б, КТ503Г 80-240
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=3 мА, не менее 5 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, ƒ=465 кГц, не более 20 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=UКБ макс, не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные транзистора КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ503А, КТ503Б 40 В
КТ503В, КТ503Г 60 В
КТ503Д 80 В
КТ503Е 100 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 0,15 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мкс, Q≥100 0,35 А
Постоянный ток базы 0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=233-298 К 0,35 Вт
Температура перехода 124,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до 84,85°С

Примечание. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 3 секунды в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.

Изгиб выводов допускается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие передачу усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость максимально допустимой постоянной мощности рассеивания коллектора от температуры и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектораЗависимость максимально допустимой постоянной мощности рассеивания коллектора от температуры и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость максимально допустимой постоянной мощности рассеивания коллектора от температуры и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттераЗависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Вернуться назад