Транзисторы типа: 2Т606А, КТ606А, КТ606Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: 2Т606А, КТ606А, КТ606Б. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с изолированными от корпуса жесткими выводами с монтажным винтом.
Масса транзистора не более 6 грамм.
Электрические параметры.
| Выходная мощность при UКЭ=28 В, ƒ=400 МГц, не менее | |
| 2Т606А, КТ606А | 0,8 Вт |
| КТ606Б | 0,6 Вт |
| Коэффициент усиления по мощности, не менее | 2,5 |
| типовое значение | 3 |
| Коэффициент полезного действия коллектора, не менее | 35% |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=200 мА, IБ=40 мА, не более | 1,0 В |
| Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=100 МГц, UКЭ=10 В, IК=100 мА, не менее | |
| 2Т606А, КТ606А | 3,5 |
| КТ606Б | 3 |
| Критический ток коллектора при UКЭ=10 В, ƒ=100 МГц, не менее | 100 мА |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, ƒ=5 МГц, IЭ=30 мА, не более | |
| 2Т606А, КТ606А | 10 нс |
| КТ606Б | 12 нс |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=28 В, ƒ=5 МГц, не более | 10 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, ƒ=5 МГц, не более | 27 пФ |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=65 В, RЭБ=100 Ом, не более | |
| при Т=24,85°С | |
| 2Т606А | 1 мА |
| КТ606А, КТ606Б | 1,5 мА |
| при Т=84,85°С | |
| КТ606А, КТ606Б | 3 мА |
| при Т=124,85°С 2Т606А | 2 мА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, при Т=24,85°С, не более | |
| 2Т606А | 0,1 мА |
| КТ606А, КТ606Б | 0,3 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤10 Ом | |
| 2Т606А | 65 В |
| КТ606А, КТ606Б | 60 В |
| Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при ƒ≥100 МГц | |
| 2Т606А | 5 В |
| КТ606А, КТ606Б | 70 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 4 В |
| Постоянный ток коллектора | 400 мА |
| Пиковый ток коллектора | 800 мА |
| Постоянный ток базы | 100 мА |
| Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме | |
| при Тк=39,85°С | 2,5 Вт |
| при Тк=124,85°С 2Т606А | 0,57 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 44 К/Вт |
| Температура перехода | |
| 2Т606А | 149,85°С |
| КТ606А, КТ606Б | 119,85°С |
| Температура окружающей среды | |
| 2Т606А | От -60,15 до Тк=124,85°С |
| КТ606А, КТ606Б | От -40,15 до Тк=84,85°С |
Примечание. При монтаже транзисторов допускается усилие, перпендикулярное оси вывода, не более 50 грамм, категорически запрещается изгиб выводов, а также их кручение вокруг оси.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса транзистора. Использование транзистора без теплоотвода не рекомендуется. Чистота контактной поверхности теплоотводов должна быть не менее 2,5. Неплоскостность контактной поверхности теплоотвода должна быть не более 0,03 мм.
Зависимость относительной выходной мощности от входной и зависимость относительной выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер.
1. Зависимость относительной выходной мощности от частоты. 2. Зависимость относительного коэффициента усиления от выходной мощности. 3. Зависимость относительного коэффициента полезного действия от выходной мощности. 4. Зависимость коэффициента полезного действия от частоты. 5. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 6. Зависимость модуля относительного коэффициента передачи тока от тока коллектора.
1. Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от тока коллектора. 2. Зависимость относительной постоянной времени цепи обратной связи от напряжения коллектор-эмиттер. 3. Зависимость относительной ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 4. Зависимость относительной ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.
Вернуться назад