Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 грамма.
Чертёж транзистора КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е
Электрические параметры.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ==10 В, IЭ=1 мА |
при Т=24,85°С |
КТ361А, КТ361Д |
20-90 |
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е |
50-350 |
КТ361В |
40-160 |
при Т=99,85°С |
КТ361А, КТ361Д |
20-250 |
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е |
50-500 |
КТ361В |
20-300 |
при Т=-60,15°С |
КТ361А, КТ361Д |
10-90 |
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е |
15-350 |
КТ361В |
10-160 |
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=100 МГц, UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, не менее |
2,5 |
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не более |
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г |
500 пс |
КТ361В, КТ361Е |
1000 пс |
КТ361Д |
250 пс |
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=10 МГц, не более |
КТ361А, КТ361Б |
9 пФ |
КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е |
7 пФ |
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более |
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С |
1 мкА |
при Т=99,85°С |
25 мкА |
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более |
1 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм |
при Т=213÷308 К |
КТ361А |
25 В |
КТ361Б |
20 В |
КТ361В, КТ361Д |
40 В |
КТ361Г, КТ361Е |
35 В |
при Т=99,85°С |
КТ361А |
20 В |
КТ361Б |
15 В |
КТ361В, КТ361Д |
35 В |
КТ361Г, КТ361Е |
30 В |
Постоянное напряжение база-эмиттер |
4 В |
Постоянный ток коллектора |
50 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора |
при Т=213÷308 К |
150 мВт |
при Т=99,85°С |
30 мВт |
Температура перехода |
119,85°С |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 99,85°С |
Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308÷373 К определяется по формуле:
PК макс=(393-Т)/0,67.
Допускается производить пайку на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается трёхкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе изгиба 1,5-2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси.
Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.
Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры
Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры.
Вернуться назад
|