Транзисторы > Транзисторы типа: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

Транзисторы типа: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е


Транзисторы типа: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные высокочастотные: КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,3 грамма.

Чертёж транзистора КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361ЕЧертёж транзистора КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ==10 В, IЭ=1 мА
при Т=24,85°С
КТ361А, КТ361Д 20-90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е 50-350
КТ361В 40-160
при Т=99,85°С
КТ361А, КТ361Д 20-250
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е 50-500
КТ361В 20-300
при Т=-60,15°С
КТ361А, КТ361Д 10-90
КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е 15-350
КТ361В 10-160
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=100 МГц, UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, не менее 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не более
КТ361А, КТ361Б, КТ361Г 500 пс
КТ361В, КТ361Е 1000 пс
КТ361Д 250 пс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=10 МГц, не более
КТ361А, КТ361Б 9 пФ
КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е 7 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С 1 мкА
при Т=99,85°С 25 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм
при Т=213÷308 К
КТ361А 25 В
КТ361Б 20 В
КТ361В, КТ361Д 40 В
КТ361Г, КТ361Е 35 В
при Т=99,85°С
КТ361А 20 В
КТ361Б 15 В
КТ361В, КТ361Д 35 В
КТ361Г, КТ361Е 30 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 4 В
Постоянный ток коллектора 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=213÷308 К 150 мВт
при Т=99,85°С 30 мВт
Температура перехода 119,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 99,85°С

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=308÷373 К определяется по формуле:

PК макс=(393-Т)/0,67.

Допускается производить пайку на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора. Допускается трёхкратный изгиб выводов на расстоянии не менее 2 мм от корпуса при радиусе изгиба 1,5-2 мм. Категорически запрещается кручение выводов вокруг оси.

Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттераВходные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Входные характеристики и зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттераЗависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры и зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера.

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температурыЗависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера и зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от температуры.


Вернуться назад