Транзисторы типа: КТ119А, КТ119Б
Транзисторы кремниевые однопереходные с базой n-типа переключательные: КТ119А, КТ119Б. Предназначены для работы в составе гибридных пленочных микросхем, модулей, узлов и блоков радиоэлектронной герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,01 грамма.
Электрические параметры.
| Ток включения при UБ2Б1=10 В | 1-6 мкА |
| Межбазовое сопротивление при IБ2Б1=1 мА | 4-12 кОм |
| Максимальная частота генерации, не менее | 200 кГц |
| Напряжение насыщения при UБ2Б1=10 В, IЭ=10 мА | 2,5 В |
| Коэффициент передачи | |
| КТ119А | 0,5-0,65 |
| КТ119Б | 0,6-0,75 |
| Обратный ток эмиттерного перехода при UЭБ2=20 В, не более | 0,001 мА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Амплитуда тока эмиттера при среднем токе, не более 10 мА, τи≤10 мкс | 50 мА |
| Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии | 10 мА |
| Напряжение межбазовое любой формы и периодичности | 20 В |
| Обратное напряжение эмиттер-база | 20 В |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| при Т=34,85°С | 25 мВт |
| при Т=79,85°С | 7 мВт |
| Общее тепловое сопротивление | 3 К/мВт |
Примечание. Монтаж транзистора в модуль должен осуществляться в условиях микроклимата при Т=228-353 К. Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от края защитного покрытия при температуре не более 99,85°С.
Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмиттера и зона возможных положений зависимости предельной частоты генерации от температуры.
Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры и зона возможных положений зависимости тока включения от температуры.
Вернуться назад