Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 5 грамм.
Чертёж транзистора КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г
Электрические параметры.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, не менее |
5 МГц |
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=3 МГц, не более |
3 нс |
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ=5 В, IЭ=1 мА |
КТ104А |
9-36 |
КТ104Б |
20-80 |
КТ104В |
40-160 |
КТ104Г |
15-60 |
Граничное напряжение, не менее |
при IЭ=5 мА КТ104А, КТ104Г |
30 В |
при IЭ=10 мА КТ104Б, КТ104В |
15 В |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, не более |
при IБ=2 мА КТ104А |
0,5 В |
при IБ=1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г |
0,5 В |
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, не более |
при IБ=2 мА КТ104А |
1 В |
при IБ=1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г |
1 В |
Обратный ток коллектора, не более |
при UКБ=30 В КТ104А, КТ104Г |
1 мкА |
при UКБ=15 В КТ104Б, КТ104В |
1 мкА |
Обратный ток эмиттера при UЭБ=10 В, не более |
1 мкА |
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=1 кГц |
120 Ом |
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более |
50 пФ |
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более |
10 пФ |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-база |
КТ104А, КТ104Г |
30 В |
КТ104Б, КТ104В |
15 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм |
КТ104А, КТ104Г |
30 В |
КТ104Б, КТ104В |
15 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
10 В |
Постоянный ток коллектора |
50 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность |
150 мВт |
Общее тепловое сопротивление |
400 К/Вт |
Температура перехода |
119,85°С |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 99,85°С |
Вернуться назад
|