Транзисторы > Транзисторы типа: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г

Транзисторы типа: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 5 грамм.

Чертёж транзистора КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104ГЧертёж транзистора КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
при UКЭ=5 В, IЭ=1 мА, не менее
5 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=3 МГц, не более 3 нс
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
КТ104А 9-36
КТ104Б 20-80
КТ104В 40-160
КТ104Г 15-60
Граничное напряжение, не менее
при IЭ=5 мА КТ104А, КТ104Г 30 В
при IЭ=10 мА КТ104Б, КТ104В 15 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, не более
при IБ=2 мА КТ104А 0,5 В
при IБ=1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, не более
при IБ=2 мА КТ104А 1 В
при IБ=1 мА КТ104Б, КТ104В, КТ104Г 1 В
Обратный ток коллектора, не более
при UКБ=30 В КТ104А, КТ104Г 1 мкА
при UКБ=15 В КТ104Б, КТ104В 1 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=10 В, не более 1 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером
при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, ƒ=1 кГц
120 Ом
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, не более 50 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
КТ104А, КТ104Г 30 В
КТ104Б, КТ104В 15 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм
КТ104А, КТ104Г 30 В
КТ104Б, КТ104В 15 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 10 В
Постоянный ток коллектора 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность 150 мВт
Общее тепловое сопротивление 400 К/Вт
Температура перехода 119,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 99,85°С

Вернуться назад