Транзистор типа: КТ633Б
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ универсальный: КТ633Б. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3-ёх грамм.
Электрические параметры.
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=10 мА | 20-160 |
| Граничное напряжение при IЭ=10 мА, не менее | 15 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=100 мА, IБ=10 мА, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=100 мА, IБ=10 мА, не более | 1,5 В |
| типовое значение | 0,85 В |
| Время рассасывания при IК=10 мА, IБ=10 мА, не более | 30 нс |
| типовое значение | 6 нс |
| Время выключения при UЭБ=1,5 В, IК=10 мА, IБ=3 мА | 9 нс |
| Время выключения при UЭБ=1,5 В, IК=10 мА, IБ=3 мА | 13 нс |
| Модуль коэффициента передачи тока на ƒ=100 МГц, при UКЭ=10 В, IК=100 мА, не менее | 5 |
| Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UК=10 В, IЭ=30 мА | 10 пс |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, не более | 4,5 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более | 25 пФ |
| Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более | 10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4,5 В, не более | 10 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=30 В, не более | 3 мкА |
| Коэффициент шума при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА | 6 |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база | 30 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база | 4,5 В |
| Постоянный ток коллектора | 0,2 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мкс, Q≥50 | 0,5 А |
| Постоянный ток базы | 0,12 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| при Тк=228-298 К | 1,2 Вт |
| при Тк=358 К | 0,24 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при τи≤10 мкс, Q≥50 | |
| при Т=228-298 К | 0,72 Вт |
| при Т=358 К | 0,15 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-окружающая среда | 347 К/Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 104 К/Вт |
| Температура окружающей среды | От 228 до 358 К |
Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки не более 523 К (249,85 °С) в течение не более 10 с при наличии теплоотвода в месте пайки. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора. Допустимая величина электростатического потенциала 1000 В.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
Вернуться назад