Транзисторы > Транзистор типа: КТ633Б

Транзистор типа: КТ633Б


Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ универсальный: КТ633Б. Предназначен для работы в усилительных и импульсных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 3-ёх грамм.

Чертёж транзистора КТ633БЧертёж транзистора КТ633Б

Электрические параметры.

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=1 В, IЭ=10 мА 20-160
Граничное напряжение при IЭ=10 мА, не менее 15 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=100 мА, IБ=10 мА, не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=100 мА, IБ=10 мА, не более 1,5 В
типовое значение 0,85 В
Время рассасывания при IК=10 мА, IБ=10 мА, не более 30 нс
типовое значение 6 нс
Время выключения при UЭБ=1,5 В, IК=10 мА, IБ=3 мА 9 нс
Время выключения при UЭБ=1,5 В, IК=10 мА, IБ=3 мА 13 нс
Модуль коэффициента передачи тока на ƒ=100 МГц, при UКЭ=10 В, IК=100 мА, не менее 5
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=5 МГц, UК=10 В, IЭ=30 мА 10 пс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, не более 4,5 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более 25 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=30 В, не более 10 мкА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4,5 В, не более 10 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=30 В, не более 3 мкА
Коэффициент шума при ƒ=20 МГц, UКБ=5 В, IЭ=5 мА 6

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база 30 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 4,5 В
Постоянный ток коллектора 0,2 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мкс, Q≥50 0,5 А
Постоянный ток базы 0,12 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Тк=228-298 К 1,2 Вт
при Тк=358 К 0,24 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при τи≤10 мкс, Q≥50
при Т=228-298 К 0,72 Вт
при Т=358 К 0,15 Вт
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда 347 К/Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 104 К/Вт
Температура окружающей среды От 228 до 358 К

Примечание. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора при температуре пайки не более 523 К (249,85 °С) в течение не более 10 с при наличии теплоотвода в месте пайки. Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора. Допустимая величина электростатического потенциала 1000 В.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектораЗависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-базаЗависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база

Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база и зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектораЗависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.


Вернуться назад