Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные: КТ210А, КТ210Б, КТ210В. Бескорпусные с твердыми выводами.
Масса транзистора не более 0,005 грамма.
Чертёж транзистора КТ210А, КТ210Б, КТ210В
Электрические параметры.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=1 мА, не менее |
10 МГц |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=1 мА |
КТ210А, КТ210Б |
80-240 |
КТ210В |
40-120 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более |
0,5 В |
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=10 мА, IБ=1 мА, не более |
1 В |
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=UКЭ макс, RЭБ=10 кОм, не более |
10 мкА |
Обратный ток эмиттера при UЭБ=10 В, не более |
5 мкА |
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В, ƒ=3 МГц, не более |
25 пФ |
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=5 МГц, не более |
10 пФ |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-база |
КТ210А |
15 В |
КТ210Б |
30 В |
КТ210В |
60 В |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10 кОм |
КТ210А |
15 В |
КТ210Б |
30 В |
КТ210В |
60 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
10 В |
Постоянный ток коллектора |
20 мА |
Импульсный ток коллектора |
40 мА |
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=34,85°С |
25 мВт |
Импульсная рассеиваемая мощность коллектора при Т=34,85°С |
40 мВт |
Тепловое сопротивление переход-среда |
3 К/мВт |
Температура перехода |
124,85°С |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 84,85°С |
Вернуться назад
|