Транзистор кремниевый диффузионный n-p-n типа.
Технические условия ЩБ3.365.038 ТУ
Габаритный чертеж ЩБ3.365.038 Т



Масса КТ601А не более 2гр.
Конструкция транзистором типа КТ601А герметична и обеспечивает сохранение целостности конструкции и электрических параметров в пределах нормы в условиях воздействия на них:
постоянных ускорений до 25G, ударных ускорений до 75G, вибрационных ускорений до 7,5G в диапазоне частот 10+600гц.
Температура окружающей среды от -40 до +55 градусов по Цельсию




Примечания:
1. Во всем интервале температур окружающей среды -40 +55 градусов
2. Во всем интервале температур окружающей среды -40 +55 градусов при условии обеспечения температуры корпуса транзистора не более +75 градусов по Цельсию.

1. При включении транзисторов в электрическую цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт должен присоединяться первым и отключаться последним. Во избежание выхода транзистора из строя не следует отключать цепь базы при наличии смещения на электродах.
2. Не рекомендуется даже кратковременное превышение максимально-допустимых значений тока, напряжения к мощности.
3. Для повышения надежности транзисторы рекомендуется использовать в режимах ниже предельно-допустимых не менее чем на 20-30%.
4. Рекомендуется при эксплуатации транзистора учитывать возможность его самовозбуждения как высокочастотного элемента с большим коэффициентом усиления.
5. При работе транзистора в условиях изменения температуры окружающей среды в схеме включения транзисторов рекомендуется предусмотреть температурную стабилизацию.
6. При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус, за исключением п.37 ТУ.
7. Изгиб выходов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления не менее 3 мм. При этом должны быть приняты меры предосторожности, обеспечивающие неподвижность выходов между местом изгиба и стеклянным изолятором, чтобы не произошло нарушение спая выхода со стеклянным изолятором, иначе из-за изгиба вблизи изолятора, может произойти разгерметизация транзистора.
8. Пайка выхода допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.
Пайку производить паяльником мощностью 50-60 вт. в течение не более 10 сек, приняв меры, чтобы не произошел перегрев транзистора.
Температура пайки не должна превышать +250 градусов. Необходимо осуществлять теплоотвод между корпусом и местом пайки.
Разрешается производить пайку выходов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса птем погружения не более чем на 10 сек. в расплавленный припой с температурой 250+-10 градусов.
9. При измерениях на выходном контроле необходимо осторожно обращаться с выходами транзисторов, при изгибе выходов на расстоянии 5 мм от корпуса необходимо принять специальные шаблоны.