Диодная матрица 2Д920А, состоящая из кремниевых планарных диодов. Выпускается в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Матрица состоит из 16 диодов с общим анодом. Катоды диодов соединены с выводами 1-16, выводы анода - 17, 18.
Масса матрицы не более 1,2 грамма.
Чертёж 2Д920А
Электрические параметры 2Д920А.
Постоянное прямое напряжение при Iпр=100 мА |
при 24,85°С |
От 0,9 до 1,5 В |
при 84,85°С (Iпр=75 мА) |
От 0,85 до 1,5 В |
при -60,15°С |
От 0,95 до 1,55 В |
Постоянный обратный ток при Uобр=40 В, не более |
при 24,85 и -60,15°С |
1 мкА |
при 84,85°С |
10 мкА |
Время восстановления обратного сопротивления при Iпр=100 мА, Uобр, и=17 В, Iотсч=10 мА, не более |
100 нс |
Общая ёмкость каждого диода при Uобр=10 В, ƒ=1÷10 МГц, не более |
6 пФ |
Установившееся прямое напряжение при Iпр, и=400 мА, не более |
2,5 В |
Предельные эксплуатационные данные диодной матрицы 2Д920А.
Постоянное или импульсное обратное напряжение при температуре от -60,15 до 84,85°С |
40 В |
Постоянный прямой ток диода при температуре |
от -60,15 до 34,85°С |
100 мА |
при 84,85°С |
75 мА |
Импульсный прямой ток диода при τи≤10 мкс, скважности, большей или равной 10, при температуре |
от -60,15 до 34,85°С |
700 мА |
при 84,85°С |
500 мА |
Перегрузочный постоянный прямой ток в течение 30 минут |
125 мА |
Средняя рассеиваемая мощность при температуре |
от -60,15 до 34,85°С |
150 мВт |
при 84,85°С |
120 мВт |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 84,85°С |
Зависимость постоянного прямого тока от температуры
Зависимость постоянного прямого тока от температуры.
1. Зависимость импульсного прямого тока от температуры. 2. Зависимость установившегося импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока. 3. Зависимость общей ёмкости диода от напряжения. 4. Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от импульсного прямого тока. 5. Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от импульсного обратного напряжения. 6. Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса
1. Зависимость импульсного прямого тока от температуры. 2. Зависимость установившегося импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока. 3. Зависимость общей ёмкости диода от напряжения. 4. Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от импульсного прямого тока. 5. Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от импульсного обратного напряжения. 6. Зависимость импульсного прямого тока от длительности импульса.
Вернуться назад
|