Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях на частотах до 10 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветовым кодом: 1И103А, ГИ103А - двумя голубыми точками. 1И103Б, ГИ103Б - двумя красными точками, 1И103В, ГИ103В - двумя черными точками, ГИ103Г - двумя зелеными точками. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.
Масса диода не более 0,08 грамм.
Чертёж диода 1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В, ГИ103Г
Электрические параметры.
Пиковый ток |
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В |
От 1,3 до 1,7 мА |
ГИ103Г |
От 1,3 до 2,1 мА |
Отношение пикового тока к току впадины при температуре от -60,15 до 69,85°С, не менее |
4 |
Напряжение пика |
От 60 до 90 мВ |
Общая ёмкость диода при Uпр≤1 мВ, ƒ=10 МГц |
1И103А, ГИ103А |
От 1,0 до 2,1 пФ |
1И103Б, ГИ103Б |
От 0,8 до 1,6 пФ |
1И103В, ГИ103В |
От 0,7 до 1,3 пФ |
ГИ103Г |
От 1,0 до 3,2 пФ |
Сопротивление потерь при τи≤0,1 мкс, Iобр. и=100 мА, не более |
1И103А, 1И103Б, 1И103В, ГИ103А, ГИ103Б, ГИ103В |
6 Ом |
ГИ103Г |
7 Ом |
Резонансная частота |
1И103А |
10 ГГц |
ГИ103А |
От 8 до 14 ГГц |
1И103Б |
Около 15 ГГц |
ГИ103Б |
От 9 до 17 ГГц |
1И103В |
Около 20 ГГц |
1И103Г |
От 5,5 до 13 ГГц |
Напряжение впадины |
От 350 до 430 мВ |
Индуктивность диода |
От 0,2 до 0,35 нГн |
Шумовая постоянная |
От 1,0 до 1,5 |
Отрицательная дифференциальная проводимость |
От 17 до 10 мСм |
Ёмкость корпуса |
0,42-0,5-0,58 пФ |
Температурный коэффициент отрицательной проводимости при температуре от -60,15 до 69,85°С, не более |
±0.17%/К |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянный прямой и обратны ток |
1,5 мА |
Постоянное прямое напряжение при температуре от -60,15 до 69,85°С |
400 мВ |
Постоянное обратное напряжение при температуре от -60,15 до 69,85°С |
20 мВ |
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность: при 24,85°С |
1И103А, ГИ103А |
5 мВт |
1И103Б, ГИ103Б |
4 мВт |
1И103В, ГИ103В |
3 мВт |
ГИ103Г |
6 мВт |
при 69,85°С |
1И103А, ГИ103А |
2,5 мВт |
1И103Б, ГИ103Б |
2,0 мВт |
1И103В, ГИ103В |
1,5 мВт |
ГИ103Г |
3,0 мВт |
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность: при τи=0,1 мкс, ƒ=1 кГц при 24,85°С |
1И103А, ГИ103А |
200 мВт |
1И103Б, ГИ103Б |
150 мВт |
1И103В, ГИ103В |
100 мВт |
ГИ103Г |
250 мВт |
при 69,85°С |
1И103А, ГИ103А |
100 мВт |
1И103Б, ГИ103Б |
75 мВт |
1И103В, ГИ103В |
50 мВт |
ГИ103Г |
40 мВт |
при τи=1 мкс, 24,85°С |
1И103А |
60 мВт |
1И103Б |
40 мВт |
1И103В |
30 мВт |
при 69.85°С |
|
1И103А |
25 мВт |
1И103Б, 1И103В |
20 мВт |
при τи=4 мкс, 24,85°С |
|
1И103А |
20 мВт |
1И103Б |
15 мВт |
1И103В |
10 мВт |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 69,85°С |
Примечания: 1. Не допускается проверка диодов тестером. 2. Величина сжимающего корпус усилия не должна превышать 15 Н при этом давление не должно прикладываться к углубленным или маркированным частям торцов.
Зона разброса вольтамперной характеристики
Зона разброса вольтамперной характеристики.
Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения
Зависимость отрицательного сопротивления перехода от постоянного прямого напряжения.
Зависимость шумовой постоянной от постоянного прямого напряжения
Зависимость шумовой постоянной от постоянного прямого напряжения.
Зависимость пикового тока от температуры
Зависимость пикового тока от температуры.
Зависимость тока впадины от температуры
Зависимость тока впадины от температуры.
Зависимость напряжения пика от температуры
Зависимость напряжения пика от температуры.
Вернуться назад
|