|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В
Транзисторы 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 1 гр.  Чертёж транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312ВЭлектрические параметры.
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, не менее |
| 2Т312А |
80 МГц |
| 2Т312Б, 2Т312В |
120 МГц |
| Постоянная времени цепи обратной связи при UКЭ=10 В, IЭ=5 мА, ƒ=2 МГц, не более |
500 нс |
| Время рассасывания при IК=10 мА, IБ=2 мА, не более |
| 2Т312А |
100 нс |
| 2Т312Б, 2Т312В |
130 нс |
| Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=20 мА |
| 2Т312А |
12-100 |
| 2Т312Б |
25-100 |
| 2Т312В |
50-250 |
| Граничное напряжение при IЭ=7,5 мА, не менее |
30 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более |
| 2Т312А, 2Т312Б |
0,5 В |
| 2Т312В |
0,35 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более |
1,1 В |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, ƒ=2 МГц, не более |
5 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=1 В, ƒ=2 МГц, не более |
20 пФ |
| Обратный ток коллектора, не более |
| при Т=24,85°С, UКБ=30 В |
1 мкА |
| при Т=124,85°С, UКБ=30 В |
10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более |
10 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-база 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В |
30 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤100 Ом |
30 В |
| Постоянное напряжение эмиттер-база |
4 В |
| Постоянный ток коллектора |
30 мА |
| Импульсный ток коллектора при τи≤1 мкс, Q≥10 |
60 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В |
| при Т≤59,85°С |
225 мВт |
| при Т=124,85°С |
62,5 мВт |
| Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс, Q≥10 |
| при Т≤59,85°С |
450 мВт |
| при Т=124,85°С |
287,5 мВт |
| Температура перехода транзистора 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В |
149,85°С |
| Общее тепловое сопротивление |
0,4 К/мВт |
| Температура окружающей среды |
От -60,15 до 124,85°С |
Примечание. Изгиб выводов разрешается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм. Разрешается производить пайку выводов на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путём погружения не более чем на 5 с в расплавленный припой с температурой не более 249,85°С.
 1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. |
