Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Где мы?
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные: КТ809А, 2Т809А. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора 2Т809 и КТ809 не более 22 гр., с накидным фланцем не более 12 гр.

Чертёж транзистора КТ809А, 2Т809АЧертёж транзистора КТ809А, 2Т809А

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 0,22-0,6-1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 1,03-1,32,3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=2 А
при Т=24,85°С 15-100
при Т=124,85°С 15-130
при Т=-60,15°С 10-100
Время включения при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение 0,25 мкс
Время спада при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение для КТ809А, 2Т809А 0,25 мкс
Время рассасывания при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,5-3 мкс
типовое значение 2 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,0 МГц, UКЭ=5 В, IК=0,5 А, не менее 1,7
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=400 В, RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С 3 мА
при Т=124,85°С, UКЭ=300 В 10 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более 50 мА
Ёмкость коллекторного перехода транзистора 2Т809А, КТ809А при UКЭ=5 В 190-220-270 пФ

Предельные эксплуатационные данные КТ809А, 2Т809А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп≤99,85°С, RБЭ=10 Ом 400 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷398 К 4 В
Постоянный ток коллектора при Тк=213÷398 К 3 А
Импульсный ток коллектора при τи≤400 мкс, Q≥10, Тк=213÷398 К 5 А
Ток базы транзистора КТ809А, 2Т809А при Тк=213÷398 К 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213÷398 К 40 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 2,5 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды От -60,15°С до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп=373÷423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

2. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>49,85°С снижается в соответствии с формулой:

РК макс=(Тп=-Тк)/Rт п-к,

где Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.

В импульсных схемах для КТ809А, 2Т809А допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 89,85°С.

В импульсных схемах допускается UБЭ≤8 В, при этом должно быть: IБ≤1 А, Q≥2, ƒ≥30 кГц.

Допускается использование транзистора при IК и≤7 А, Q≤2. Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q≥10.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и обратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды.

3. Механические усилия на выводы транзисторов КТ809А, 2Т809А не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

Область максимальных режимов.Область максимальных режимов.

Область максимальных режимов.




 
Карта сайта