Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Где мы?
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзистор типа: КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

Транзистор типа: КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827ВЧертёж транзистора КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В

Электрические параметры КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.

Граничное напряжение при IК=100 мА
КТ827А, 2Т827А 100-140 В
типовое значение 110 В
КТ827Б, 2Т827Б 80-100 В
типовое значение 90 В
КТ827В, 2Т827В 60-80 В
типовое значение 70 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК=10 А, IБ=40 мА 1-2 В
типовое значение 1,45 В
при IК=20 А, IБ=200 мА 1,8-3 В
типовое значение 2,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=20 А, IБ=200 мА 2,6-4 В
типовое значение 3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=10 А
при Т=24,85°С 750-18000
типовое значение 6000
при Т=ТК макс, не менее 750
при Т=-60,15°С, не менее 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=20 А 100-750-3500
Время включения при IК=10 А, IБ=40 мА 0,3-1 мкс
типовое значение 0,5 мкс
Время выключения при IК=10 А, IБ=40 мА 3-6 мкс
типовое значение 4 мкс
Время рассасывания при IК=10 А, IБ=40 мА 2-4,5 мкс
типовое значение 3 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=3 В, IК=10 А, ƒ=10 МГц, не менее 0,4
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В 200-400 пФ
типовое значение 260 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UБЭ=5 В 160-350 пФ
типовое значение 180 пФ
Входное напряжение база-эмиттер при IК=10 А, UКЭ=3 В 1,6-2,8 В
типовое значение 2 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С 3 мА
при Т=ТК макс 5 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более 2 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ827А, КТ827Б, КТ827В, 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм и постоянное напряжение коллектор база
КТ827А, 2Т827А 100 В
КТ827Б, 2Т827Б 80 В
КТ827В, 2Т827В 60 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при τφ=0,2 мкс
КТ827А 100 В
КТ827Б 80 В
КТ827В 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 20 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Импульсный ток коллектора 40 А
Импульсный ток базы 0,8 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213-298 К 125 Вт
Тепловое сопротивление при UКЭ=10 В, IК=12,5 А 1,4 К/Вт
Температура перехода 199,85°С
Температура окружающей среды
КТ827А, КТ827Б, КТ827В От -60,15 до Тк=99,85°С
2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В От -60,15 до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>24,85°С определяется по формуле:

РК макс=(Тпк)/RТ п к,

где RТ п к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяется из области максимальных режимов.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.

1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

1-2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.

1-2. Зависимости напряжений насыщений коллектор-эмиттер и база-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Область максимальных режимов.




 
Карта сайта