|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы типа: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные: 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200-1000 Мгц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Масса транзистора не более 1,6 гр.
Чертёж транзистора 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В
Электрические параметры 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, КТ913А, КТ913Б, КТ913В.
Выходная мощность на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В, не менее |
2Т913А, КТ913А |
3 Вт |
2Т913Б, КТ913Б |
5 Вт |
2Т913В, КТ913В |
10 Вт |
Коэффициент усиления по мощности на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В |
2Т913А при Pвых=3 Вт, типовое значение |
2,5 |
2Т913Б при Pвых=5 Вт, типовое значение |
2,5 |
2Т913В при Pвых=10 Вт, типовое значение |
2,5 |
КТ913А при Pвых=3 Вт, не менее |
2 |
КТ913Б при Pвых=5 Вт, не менее |
2 |
КТ913В при Pвых=10 Вт, не менее |
2 |
Коэффициент полезного действия коллектора на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В |
2Т913А при Pвых=3 Вт, типовое значение |
45% |
2Т913Б при Pвых=5 Вт, типовое значение |
45% |
2Т913В при Pвых=10 Вт, типовое значение |
55% |
КТ913А при Pвых=3 Вт, не менее |
40% |
КТ913Б при Pвых=5 Вт, не менее |
40% |
КТ913В при Pвых=10 Вт, не менее |
50% |
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=10 В 2Т913А, КТ913А при IК=200 мА; 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В при IК=400 мА, не менее |
900 МГц |
Критический ток при UКЭ=10 В, не менее |
2Т913А |
0,4 А |
2Т913Б |
0,8 А |
2Т913В |
1,6 А |
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=28 В, не менее |
2Т913А |
6 пФ |
2Т913Б |
10 пФ |
2Т913В, КТ913Б |
12 пФ |
КТ913А |
7 пФ |
КТ913В |
14 пФ |
Постоянная времени цепи обратной связи при ƒ=30 МГц, UКБ=10 В, I=50 мА, не более |
2Т913А, КТ913Б, КТ913В |
15 пс |
2Т913Б, 2Т913В |
12 пс |
КТ913А |
18 пс |
Активная ёмкость коллектора при UКБ=28 В, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
1,3 пФ |
2Т913Б, КТ913Б |
2,5 пФ |
2Т913В, КТ913В |
2,7 пФ |
Суммарная активная и пассивная ёмкость коллектора при UКБ=28 В, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
4 пФ |
2Т913Б, КТ913Б |
8,0 пФ |
2Т913В, КТ913В |
8,2 пФ |
Ёмкость коллектор-эмиттер, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
0,7 пФ |
2Т913Б, КТ913Б |
1,5 пФ |
2Т913В, КТ913В |
1,5 пФ |
Сопротивление эмиттера, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
0,15 Ом |
2Т913Б, КТ913Б |
0,1 Ом |
2Т913В, КТ913В |
0,05 Ом |
Сопротивление базы, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
3 Ом |
2Т913Б, КТ913Б |
1,5 Ом |
2Т913В, КТ913В |
1,1 Ом |
Индуктивность вывода базы на расстоянии 3 мм от корпуса, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
3 нГн |
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В |
2,5 нГн |
Индуктивность вывода коллектора на расстоянии 3 мм от корпуса 2Т913А, КТ913А, 2Т913Б, КТ913Б, 2Т913В, КТ913В, типовое значение |
2 нГн |
Индуктивность вывода эмиттера при заземлении обоих выводов у основания, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
0,55 нГн |
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В |
0,25 нГн |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер при IК=75 мА 2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В, не менее |
30 В |
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, типовое значение |
2Т913А, КТ913А |
45 пФ |
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В |
90 пФ |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=250 мА, IБ=30 мА, типовое значение |
0,28 В |
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=250 мА, IБ=30 мА, типовое значение |
1,0 В |
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=55 В, RЭБ=10 Ом, не более |
2Т913А |
10 мА |
2Т913Б, 2Т913В |
20 мА |
КТ913А |
25 мА |
КТ913Б, КТ913В |
50 мА |
Обратный ток эмиттера при UЭБ=3,5 В, не более |
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В |
1 мА |
КТ913А, КТ913Б, КТ913В |
1,5 мА |
Полное входное сопротивление в динамическом режиме на ƒ=1 ГГц при UКЭ=28 В, типовое значение |
2Т913А при Pвых=3 Вт |
(3+j20) Ом |
2Т913Б при Pвых=5 Вт |
(1,2+j16) Ом |
2Т913В при Pвых=10 Вт |
(1,2+j14) Ом |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ=10 Ом |
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В |
при Тк≤124,85°С |
55 В |
при Тк=-60,15°С |
45 В |
КТ913А, КТ913Б, КТ913В |
при Тк≤84,85°С |
55 В |
при Тк=-45,15°С |
45 В |
Пиковое напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ=10 Ом |
55 В |
Постоянное напряжение эмиттер-база |
3,5 В |
Постоянный ток коллектора |
2Т913А, КТ913А |
1 А |
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В |
2 А |
Средняя рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме |
2Т913А |
при Тк≤54,85°С |
4,7 Вт |
при Тк=124,85°С |
1,2 Вт |
2Т913Б |
при Тк≤69,85°С |
8 Вт |
при Тк=124,85°С |
2,5 Вт |
2Т913В |
при Тк≤24,85°С |
12 Вт |
при Тк=124,85°С |
2 Вт |
КТ913А |
при Тк≤54,85°С |
4,7 Вт |
при Тк=84,85°С |
3,2 Вт |
КТ913Б |
при Тк≤69,85°С |
8 Вт |
при Тк=84,85°С |
6,5 Вт |
КТ913В |
при Тк≤24,85°С |
12 Вт |
при Тк=84,85°С |
6 Вт |
Теплове сопротивление переход-корпус |
2Т913А, КТ913А |
20 К/Вт |
2Т913Б, 2Т913В, КТ913Б, КТ913В |
10 К/Вт |
Температура перехода |
149,85°С |
Температура окружающей среды |
2Т913А, 2Т913Б, 2Т913В |
От -60,15 до Тк=124,85°С |
КТ913А, КТ913Б, КТ913В |
От -45,15 до Тк=84,85°С |
Примечание. В процессе присоединения выводов температура корпуса в любой его точке не должна превышать 84,85°С. Изгиб и обрезание выводов допускается на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.
При эксплуатации оба вывода эмиттера должны быть симметрично соединены в схеме. На частотах менее 200 МГц должны применяться облегчённые режимы при пониженном напряжении питания.
Транзисторы 2Т913А и КТ913А могут быть использованы в линейных усилителях в режимах при UКЭ≤6 В, IК≤500 мА.
1-2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора. 3. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.
1-2. Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте от тока коллектора. 3. Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость постоянной времени цепи обратной связи от тока эмиттера. 5. Зависимость ёмкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база. 6. Зависимость ёмкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.
1-2. Зависимость выходной мощности от входной. 3. Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.
1-2. Зависимость выходной мощности от входной. 3. Зависимость выходной мощности от напряжения коллектор-эмиттер. 4. Зависимость выходной мощности и мощности рассеивания коллектора от фазы коэффициента отражения нагрузки при рассогласовании.
|