|
|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Транзисторы: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,18 гр.  Чертёж транзистора КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315ИЭлектрические параметры.
| Граничное напряжение при IЭ=5 мА, не менее |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж |
15 В |
| КТ315В, КТ315Д, КТ315И |
30 В |
| КТ315Г, КТ315Е |
25 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г |
0,4 В |
| КТ315Д, КТ315Е |
1 В |
| КТ315Ж |
0,5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=20 мА, IБ=2 мА, не более |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г |
1,1 В |
| КТ315Д, КТ315Е |
1,5 В |
| КТ315Ж |
0,9 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=1 мА |
| КТ315А, КТ315В, КТ315Д |
20-90 |
| КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е |
50-350 |
| КТ315Ж |
30-250 |
| КТ315И, не менее |
30 |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ=10 В, IЭ=5 мА, не более |
| КТ315А |
300 нс |
| КТ315Б, КТ315В, КТ315Г |
500 нс |
| КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж |
1000 нс |
| Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=10 В, IК=1 мА, ƒ=100 МГц, не менее |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И |
2,5 |
| КТ315Ж |
1,5 |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=10 В, не более |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И |
7 пФ |
| КТ315Ж |
10 пФ |
| Входное сопротивление при UКЭ=10 В, IК=1 мА, не менее |
40 Ом |
| Выходная проводимость при UКЭ=10 В, IК=1 мА, не более |
0,3 мкСм |
| Обратный ток коллектора при UКБ=10 В, не более |
1 мкА |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм, UКЭ=UКЭ,макс, не более |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е |
1 мкА |
| КТ315Ж |
10 мкА |
| КТ315И |
100 мкА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж |
30 мкА |
| КТ315И |
50 мкА |
Предельные эксплуатационные данные КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ=10 кОм |
| КТ315А |
25 В |
| КТ315Б |
20 В |
| КТ315В, КТ315Д |
40 В |
| КТ315Г, КТ315Е |
35 В |
| КТ315Ж |
15 В |
| КТ315И |
60 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер |
6 В |
| Постоянный ток коллектора |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е |
100 мА |
| КТ315Ж, КТ315И |
50 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298 К |
| КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е |
150 мВт |
| КТ315Ж, КТ315И |
100 мВт |
| Температура перехода |
119,85°С |
| Температура окружающей среды |
От -60,15 до 99,85°С |
Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=298-373 К определяется по формуле:
РКмакс=(393-Т)/0,67
Допускается эксплуатация транзисторов в режиме РК=250 мВт при UКБ=12,5 В, IК=20 мА.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.
При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всём интервале температур.
 1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. |
