Поиск

Электроузел - ресурс, связанный с электричеством.

Здесь можно узнать, как подключить то или иное оборудование, отремонтировать его, использовать в нестандартных режимах. Узнать принцип работы различных устройств. Прочитать оригинальные или модифицированные электросхемы и подробное описание к ним.
Стартовая Избранное
Контакты
Где мы?

Облако тегов

ABB n-p-n p-n-p p-n-p-n КИПиА амперметр балласт варикап выключатель автоматический градуировка диод диодная сборка дрл конденсатор лампа латр логометр магнитный пускатель манометр мегаомметр микрофарад милливольтметр мощность нагревательный элемент оптотиристор пакетник параллельное соединение прибор резистор светодиод сигнализатор симистор стабилитрон стабистор схема термопара тиристор транзистор электронная лампа ёмкость
Показать все теги
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы типа: КТ119А, КТ119Б

Транзисторы кремниевые однопереходные с базой n-типа переключательные: КТ119А, КТ119Б. Предназначены для работы в составе гибридных пленочных микросхем, модулей, узлов и блоков радиоэлектронной герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,01 грамма.

Чертёж транзистора КТ119А, КТ119БЧертёж транзистора КТ119А, КТ119Б

Электрические параметры.

Ток включения при UБ2Б1=10 В 1-6 мкА
Межбазовое сопротивление при IБ2Б1=1 мА 4-12 кОм
Максимальная частота генерации, не менее 200 кГц
Напряжение насыщения при UБ2Б1=10 В, IЭ=10 мА 2,5 В
Коэффициент передачи
КТ119А 0,5-0,65
КТ119Б 0,6-0,75
Обратный ток эмиттерного перехода при UЭБ2=20 В, не более 0,001 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Амплитуда тока эмиттера при среднем токе, не более 10 мА, τи≤10 мкс 50 мА
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии 10 мА
Напряжение межбазовое любой формы и периодичности 20 В
Обратное напряжение эмиттер-база 20 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=34,85°С 25 мВт
при Т=79,85°С 7 мВт
Общее тепловое сопротивление 3 К/мВт

Примечание. Монтаж транзистора в модуль должен осуществляться в условиях микроклимата при Т=228-353 К. Пайку выводов допускается производить на расстоянии не менее 1 мм от края защитного покрытия при температуре не более 99,85°С.

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмиттера и зона возможных положений зависимости предельной частоты генерации от температурыЗона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмиттера и зона возможных положений зависимости предельной частоты генерации от температуры

Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения от максимального тока эмиттера и зона возможных положений зависимости предельной частоты генерации от температуры.

Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры и зона возможных положений зависимости тока включения от температурыЗона возможных положений зависимости тока выключения от температуры и зона возможных положений зависимости тока включения от температуры

Зона возможных положений зависимости тока выключения от температуры и зона возможных положений зависимости тока включения от температуры.




Вернуться назад Нашли ошибку? Выделив текст, жмем ctr+Enter. Распечатать
 
Карта сайта