|
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.
Тиристоры типа: 2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г
Тиристоры кремниевые планарные p-n-p-n гибридные триодные незапираемые пороговые: 2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г. Предназначены для использования в релаксационных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса тиристора не более 1,5 грамма.
Чертёж тиристора 2У106А, 2У106Б, 2У106В, 2У106Г
Электрические параметры.
Напряжение в открытом состоянии при Iоткр=100 мА, -60,15; 24,85; 69,85°С, не более |
2 В |
Коэффициент передачи однопереходного транзистора при UБ1Б2=10 В: при 24,85°С |
2У106А, 2У106В |
От 0,5 до 0,7 |
2У106Б, 2У106Г |
От 0,65 до 0,85 |
при 69,85°С |
2У106А, 2У106В |
От 0,45 до 0,7 |
2У106Б, 2У106Г |
От 0,6 до 0,85 |
при -60,15°С |
2У106А, 2У106В |
От 0,5 до 0,75 |
2У106Б, 2У106Г |
От 0,65 до 0,9 |
Межбазовое сопротивление |
при 24,85°С |
От 4 до 12 кОм |
при -60,15°С |
От 2 до 12 кОм |
Ток в закрытом состоянии при максимальном напряжении, не более |
при 24,85 и -60,15°С |
10 мкА |
при 69,85°С |
100 мкА |
Постоянный отпирающий ток управляющего электрода при Uпр.зкр=10 В, не более |
10 мА |
Минимальный ток в закрытом состоянии, не более |
10 мА |
Ток утечки эмиттерного перехода однопереходного транзистора при UБ1Б2=30 В, не более |
1 мкА |
Ток включения однопереходного транзистора при UБ1Б2=10 В, не более |
20 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
Межбазовое напряжение |
30 В |
Обратное напряжение между эмиттером и базой 2 |
30 В |
Постоянный ток эмиттера в открытом состоянии при температуре от -60,15 до 34,85°С |
50 мА |
Средний ток тиристора в открытом состоянии при температуре от -60,15 до 34,85°С |
100 мА |
Ток эмиттера однопереходного транзистора при τи ≤10 мкс, скважности, большей или равной 200, Rш=20 Ом, температуре от -60,15 до 34,85°С |
1 А |
Импульсный ток тиристора в открытом состоянии при τи ≤500 мкс, скважности, большей или равной 20, температуре от -60,15 до 34,85°С |
1 А |
Средняя рассеиваемая мощность при температуре от -60,15 до 34,85°С |
400 мВт |
Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии при Rш=200 Ом |
10 В/мкс |
Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии |
2У106А, 2У106Б |
50 В |
2У106В, 2У106Г |
100 В |
Время включения триодного тиристора при 24,85°С, не более |
1 мкс |
Время выключения триодного тиристора при 24,85°С, Rш=200 Ом, не более |
25 мкс |
Неотпирающее напряжение на управляющем электроде триодного тиристора, не более |
0,4 В |
Постоянный ток управляющего электрода триодного тиристора |
100 мА |
Обратное напряжение управляющего электрода тиристора |
3 В |
Обратное напряжение на триодном тиристоре |
10 В |
Примечания. 1. Средняя рассеиваемая мощность, мВт, при температуре от 34,85 до 124,85°С определяется по формуле:
Рср=(408-Т)/0,25.
2. Температурная зависимость межбазового сопротивления:
ТКСRБ1Б2=0.1÷0.9%/К,
ТКСRБ1Б2=(RБ1Б2 макс-RБ1Б2 мин100%)/RБ1Б2 ср,
где RБ1Б2 макс - межбазовое сопротивление при максимальной температуре: RБ1Б2 мин - межбазовое сопротивление при минимальной температуре:
RБ1Б2 ср=(RБ1Б2 макс+RБ1Б2 мин)/2;
ΔТ=Тмакс-Тмин.
3. Температурная зависимость коэффициента передачи однопереходного транзистора находится в пределах:
ТКη=-0,05÷0,1%/К;
ТКη =ηмакс-ηмин100%/ηсрТ;
ηср=ηмакс+ηмин/2,
где ηмакс, ηмин - коэффициенты передачи при максимальной и минимальной температуре.
Зависимость минимального тока в открытом состоянии от температуры
Зависимость минимального тока в открытом состоянии от температуры.
Зависимость тока включения от температуры
Зависимость тока включения от температуры.
Зависимость напряжения в открытом состоянии от температуры
Зависимость напряжения в открытом состоянии от температуры.
Зависимость минимального тока в открытом состоянии от температуры
Зависимость минимального тока в открытом состоянии от температуры.
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от температуры
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от температуры.
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от времени задержки
Зависимость отпирающего тока управляющего электрода от времени задержки.
|