Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жёсткими выводами на кристаллодержателе с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А523А-4 маркируется одной чёрной точкой у положительного электрода, 2А523Б-4 двумя чёрными точками.
Масса диода не более 0,15 гр.
Чертёж диода 2А523А-4, 2А523Б-4
Электрические параметры.
Критическая частота при Pпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, Uобр=10 В, не менее |
при 24,85°С |
200 ГГц |
при -60,15 до 124,85°С |
170 ГГц |
Прямое сопротивление потерь при Pпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, не более |
0,5 Ом |
Общая ёмкость диода при Uобр=100 В, ƒ=10÷30 МГц |
2А523А-4 |
От 0,9 до 1,5 пФ |
2А523Б-4 |
От 1,0 до 2,0 пФ |
Накопленный заряд при Iпр=50 мА, Uобр=100 В, не более |
220 нКл |
Пробивное напряжение при Iобр≤30 мкА, не менее |
2А523А-4 |
500 В |
2А523Б-4 |
600 В |
Тепловое сопротивление |
4,5 К/Вт |
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное обратное напряжение при температуре от -60,15 до 124,85°С |
200 В |
Постоянный прямой ток при температуре от -60,15 до 124,85°С |
300 мА |
Рассеиваемая мощность при температуре на держателе диода |
от -60,15 до 24,85°С |
20 Вт |
при 124,85°С |
7 Вт |
Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤300 мкс, скважности 5 и температуре на держателе диода 24,85°С |
100 Вт |
Температура окружающей среды |
От -60,15 до 124,85°С |
Примечания. 1. Допускается применять диоды при постоянных обратных напряжениях меньше 40 В и амплитуде напряжения СВЧ не более 20 В.
2. Допускается амплитуда СВЧ напряжения на диоде Uсвч определяется по формуле:
Uсвч=Uпроб-Uобр.
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
1. Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от постоянного обратного напряжения. 2. Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока. 3. Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса. 4. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.
1. Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от постоянного обратного напряжения. 2. Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока. 3. Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса. 4. Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.