Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торце корпуса.

Столбы из кремниевых диффузионных диодов. Положительный вывод прибора отмечен точкой на торце корпуса.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n высоковольтные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в импульсных модуляторах. Вывод эмиттера маркируется условной точкой на корпусе.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные мощные. Предназначены для работы в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n мощные универсальные. Предназначены для работы в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развёртки, источниках питания.

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.