|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот. Транзисторы германиевые сплавные p-n-p низкочастотные усилительные маломощные. Предназначены для работы в низкочастотных усилительных устройствах. Диод германиевый точечный. Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими выводами. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p маломощные низкочастотные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры. Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные p-n-p-n триодные незапираемые. Предназначены для работы в качестве ключей средней мощности. |